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  • EBL system (JBX-9300FS) align 관련 문의
    백지민 2019.07.17


    첨부 파일 : (crossmarkerAFM.pptx)

    안녕하십니까. 한국나노기술원 (KANC)의 EBL system (JBX-9300FS)를 사용중인 대학원생입니다.

    다름이 아니라, 노광 시 align을 위한 cross-marker를 장비가 인식하지 못해 문의를 드립니다.

     

    Global marker 및 chip mark로 사용하기위한 cross-marker의 단차가 일정하지 않아 장비가 인식을 하지 않는 문제가 있었습니다.

    그래서 cross marker의 AFM을 찍어보았는데, cross-marker의 height 가 균일하지 않습니다.
    그리고 depressed marker (etched marker) 부분 역시 depth가 균일하지 않았습니다.
    혹시 EBL system의 align detection 의 tolerance (calibration 에서 "PDEF" 또는 "COEFFI") 를 조절하면 장비에서 해당 cross marker를 인식할 수 있는지 궁금합니다.
    아니면, 다른 align 방법이 있다면 알려주실 수 있으신가요?

    marker 정보는 아래와 같습니다.

    1. marker 모양
    image.png
    - 길이: 15 um, 폭: 1.5 um
    - A-A'는 물질이 성장되어 높이를 가지는 부분 (Dissimilar mark)
    - B-B'는 물질이 성장되지 않아 etch된 것과 같은 단차를 가지는 부분 (depressed mark)
    - 기판은 Si이며, 성장된 물질은 III-V (InGaAs) 입니다.

    2. A-A'의 height
    image.png
    - 위와 같지 성장된 물질의 height 및 폭이 균일하지 않습니다. (height: 93 nm ~ 543 nm)
    - Cross-marker 4개에 대한 AFM 결과는 아래와 같습니다. (72 nm ~ 543 nm의 height variation있음)
    image.png

    3. B-B'의 depth
    image.png
    - 위와 같지 depth 및 폭이 균일하지 않습니다. (depth: 288 nm ~ 667 nm)  
    - Cross-marker 4개에 대한 AFM 결과는 아래와 같습니다. (288 nm ~ 680 nm의 depth variation있음)  
    image.png

    4. 네개의 cross marker의 3D image
    image.png
    - 위와 같이 cross marker가 균일하지 않은 문제가 있습니다.

    해당 wafer의 EBL align이 가능한 방법이 있는지 궁금합니다.
    Aling이 가능한 조금의 가능성이 있는 방향을 알려주시면 대단히 감사드리겠습니다.

    AFM 결과를 정리한 PPT를 첨부해 드리오니 참고해주시길바랍니다.



    -- 

    Ji-Min Baek

    Future Semiconductor Device Lab (FSDL)

    School of Electronics Engineering

    Kyungpook National University

    80, Daehak-ro, Buk-gu, Daegu, Republic of Korea

    Room 407, Bldg. IT-3 (41566)

     

    Office: +82-53-940-8824

    Cell: +82-10-6451-3232

    E-mail: qpzmal7024@knu.ac.kr 

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