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첨부 파일 :  (crossmarkerAFM.pptx)안녕하십니까. 한국나노기술원 (KANC)의 EBL system (JBX-9300FS)를 사용중인 대학원생입니다. 다름이 아니라, 노광 시 align을 위한 cross-marker를 장비가 인식하지 못해 문의를 드립니다.
Global marker 및 chip mark로 사용하기위한 cross-marker의 단차가 일정하지 않아 장비가 인식을 하지 않는 문제가 있었습니다. 그래서 cross marker의 AFM을 찍어보았는데, cross-marker의 height 가 균일하지 않습니다. 그리고 depressed marker (etched marker) 부분 역시 depth가 균일하지 않았습니다. 혹시 EBL system의 align detection 의 tolerance (calibration 에서 "PDEF" 또는 "COEFFI") 를 조절하면 장비에서 해당 cross marker를 인식할 수 있는지 궁금합니다. 아니면, 다른 align 방법이 있다면 알려주실 수 있으신가요? marker 정보는 아래와 같습니다. 1. marker 모양 - 길이: 15 um, 폭: 1.5 um - A-A'는 물질이 성장되어 높이를 가지는 부분 (Dissimilar mark) - B-B'는 물질이 성장되지 않아 etch된 것과 같은 단차를 가지는 부분 (depressed mark) - 기판은 Si이며, 성장된 물질은 III-V (InGaAs) 입니다. 2. A-A'의 height - 위와 같지 성장된 물질의 height 및 폭이 균일하지 않습니다. (height: 93 nm ~ 543 nm) - Cross-marker 4개에 대한 AFM 결과는 아래와 같습니다. (72 nm ~ 543 nm의 height variation있음) 3. B-B'의 depth - 위와 같지 depth 및 폭이 균일하지 않습니다. (depth: 288 nm ~ 667 nm) - Cross-marker 4개에 대한 AFM 결과는 아래와 같습니다. (288 nm ~ 680 nm의 depth variation있음) 4. 네개의 cross marker의 3D image - 위와 같이 cross marker가 균일하지 않은 문제가 있습니다. 해당 wafer의 EBL align이 가능한 방법이 있는지 궁금합니다. Aling이 가능한 조금의 가능성이 있는 방향을 알려주시면 대단히 감사드리겠습니다. AFM 결과를 정리한 PPT를 첨부해 드리오니 참고해주시길바랍니다. Ji-Min Baek “Future Semiconductor Device Lab (FSDL)” School of Electronics Engineering Kyungpook National University 80, Daehak-ro, Buk-gu, Daegu, Republic of Korea Room 407, Bldg. IT-3 (41566)
Office: +82-53-940-8824 Cell: +82-10-6451-3232 E-mail: qpzmal7024@knu.ac.kr |
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